Dynamic Random Access Memory (DRAM)

動態隨機存取記憶體 (Dynamic Random Access Memory，DRAM)

• 是一種半導體記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進制位元(bit)是 1 還是 0。
• 由於在現實中電容會有漏電的現象，導致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期性地充電，否則無法確保記憶長存。
• 與大部分的隨機存取記憶體(RAM)一樣，由於存在 DRAM 中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種揮發性記憶體(volatile memory)設備。
• 由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」記憶體。

靜態記憶體 (SRAM)

• 相對來說只要存入資料後，縱使不重新整理也不會遺失記憶。

• 與 SRAM 相比，DRAM 的優勢在於結構簡單
• 每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，而 SRAM 上一個位元通常需要六個電晶體。
• 正因這緣故，DRAM 擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。
• 但相反的，DRAM也有存取速度較慢，耗電量較大的缺點。

Android relative API

• ActivityManager.MemoryInfo#totalMem
• Supported from API 16。
• Kernel 所能存取的記憶體大小。

* Reference
- 動態隨機存取記憶體 - 维基百科，自由的百科全书
- ActivityManager.MemoryInfo | Android Developers